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2dsemiconductors ZrS3晶體說(shuō)明書

ZrS3晶體

環(huán)境穩(wěn)定的各向異性過(guò)渡金屬三硫?qū)倩锊牧?ZrS3 可在美國(guó) 2Dsemiconductors 獲得。ZrS3 與 MoS2 和其他層狀體系一樣是層狀材料，只是它表現(xiàn)出高度各向異性的晶體結(jié)構(gòu)和材料特性（如 ReS2 或 TiS3）。晶體各向異性的存在導(dǎo)致了與方向相關(guān)的特性，如熱導(dǎo)率、電子遷移率和激子結(jié)合能。在典型的訂單中，大量分層的針狀薄片被包含在氬氣環(huán)境下密封的膠囊中。晶體已通過(guò) TEM、XPS、SIMS、拉曼和 XRD 進(jìn)行了表征，并具有 1:3 化學(xué)計(jì)量比和小于 1 個(gè)缺陷/10,000 個(gè)晶胞的缺陷密度。

晶體尺寸 ~ 0.4-0.6 厘米

材料特性

• 熱電紅外半導(dǎo)體

• 高載流子遷移率半導(dǎo)體

• 二維各向異性半導(dǎo)體

• 二維催化材料

ZrS3 單晶的拉曼光譜

2dsemiconductors  BLK-ZrS3